设备简介
KC3120功率半导体动态参数测试系统可针对各类型 GaN、Si基及SiC基二极管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各项动态参数测试,如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复充电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化率、反向恢复电压变化率、输入电容、输出电容、反向转移电容、短路。
通过更换不同的测试单元以达到对应测试内容,通过软件切换可以选择测试单元、测试项目及配置测试参数、 读取保存测试结果。
参考标准
IEC 60747-8/9 半导体分立器件第8/9部分/JEDEC标准
设备特点
KC-3120系 统 包 含 : 硬 件 平 台 + 实 时 软 件 , 其 中 硬 件 平 台 包含 : 信号源(模块)、FTP低压电源、FTP高压电源、示波器、测量采集控制模块、测试夹具(可加热)等,主要特点如下:
高灵活度:多种驱动板配置,覆盖高压/中压/低压器件测试和雪崩测试(可选);
高精度测试:高共模仰制比的高压差分光隔离探头(可选)满足SiC/GaN半导体器件更高母线电压和更快开关时间的测量挑战要求;低回路电感设计(<5OnH寄生电感);
高效率:可进行开关参数/动态栅极电荷/动态导通电阻/短路/雪崩测试,单次测试即可完成开关特性和反向恢复特性测试;
具备数据管理功能,上位机可实现数据曲线、报告及自动保存;
保护功能:具备器件防呆,对于带电、高温开箱、测试参数异常、驱动电路异常可实现保护功能,
内部模块化设计,支持支持扩展外接标准仪表,客制化;
软件系统
技术参数
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您好!上述产品资料仅列举部分主要测试功能,设备全部支持的项目不在此处详细列举,
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